AS6C6264-55SINTR
![คุณภาพ [#varpname#] โรงงาน](/images/load_icon.gif){kind=icon}
ผู้ผลิต:
Alliance Memory, Inc.
คําอธิบาย:
IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28SOP
ประเภท:
หน่วยความจำ
รายละเอียด
ประเภท:
เครื่องวงจรบูรณาการ (IC)
ความจํา
ความจํา
สถานะสินค้า:
กิจกรรม
ประเภทการติดตั้ง:
การติดตั้งพื้นผิว
แพ็คเกจ:
เทป & รีล (TR)
ซีรี่ย์:
-
โปรแกรม DigiKey:
ไม่ยืนยัน
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ:
ขนาน
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า:
55ns
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:
28-สบพ
ประเภทหน่วยความจำ:
ระเหย
Mfr:
Alliance Memory, Inc.
ขนาดหน่วยความจำ:
64Kbit
โลเตจ - การให้บริการ:
2.7V~5.5V
เข้าถึงเวลา:
55 น
กล่อง / กระเป๋า:
28-SOIC (0.330", กว้าง 8.38 มม.)
องค์การหน่วยความจำ:
8K x 8
อุณหภูมิการทํางาน:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
เทคโนโลย:
SRAM - อะซิงโครนัส
เลขสินค้าพื้นฐาน:
AS6C6264
รูปแบบหน่วยความจำ:
แรม
คําแนะนํา
SRAM - แมมมรี่แบบไม่สมอง IC 64Kbit ปานกลาง 55 ns 28-SOP
สินค้าที่เกี่ยวข้อง
AS4C8M16SA-6BIN
IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA
AS4C256M16D3LC-12BCN
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
AS4C64M8D2-25BCN
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
AS4C32M16D3-12BCNTR
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 96FBGA
AS4C512M8D3LC-12BAN
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
AS7C31026B-20JCN
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
AS4C4M16SA-6BANTR
IC DRAM 64MBIT PARALLEL 54TFBGA
AS7C34096A-20JIN
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
AS4C128M16D3L-12BAN
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96BGA
AS4C512M16D3LA-10BIN
IC DRAM 8GBIT PAR 96FBGA
| ภาพ | ส่วนหนึ่ง # | คําอธิบาย | |
|---|---|---|---|
|
|
AS4C8M16SA-6BIN |
IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA
|
|
|
|
AS4C256M16D3LC-12BCN |
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
|
|
|
|
AS4C64M8D2-25BCN |
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
|
|
|
|
AS4C32M16D3-12BCNTR |
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 96FBGA
|
|
|
|
AS4C512M8D3LC-12BAN |
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
|
|
|
|
AS7C31026B-20JCN |
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
|
|
|
|
AS4C4M16SA-6BANTR |
IC DRAM 64MBIT PARALLEL 54TFBGA
|
|
|
|
AS7C34096A-20JIN |
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
|
|
|
|
AS4C128M16D3L-12BAN |
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96BGA
|
|
|
|
AS4C512M16D3LA-10BIN |
IC DRAM 8GBIT PAR 96FBGA
|
ส่ง RFQ
สต็อค:
MOQ: