UPD48576209F1-E24-DW1-E2-A
![คุณภาพ [#varpname#] โรงงาน](/images/load_icon.gif){kind=icon}
ผู้ผลิต:
เรเนซาส
คําอธิบาย:
ไอซีแรม 576MBIT HSTL 144TFBGA
ประเภท:
หน่วยความจำ
รายละเอียด
ประเภท:
เครื่องวงจรบูรณาการ (IC)
ความจํา
ความจํา
ขนาดหน่วยความจำ:
576เมกะบิต
สถานะสินค้า:
ปราศการ
ประเภทการติดตั้ง:
การติดตั้งพื้นผิว
แพ็คเกจ:
ขนาดใหญ่
ซีรี่ย์:
-
โปรแกรม DigiKey:
ไม่ยืนยัน
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ:
HSTL
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า:
-
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:
144-TFBGA (11x18.5)
ประเภทหน่วยความจำ:
ระเหย
Mfr:
เรเนซาส
ความถี่นาฬิกา:
400 MHz
โลเตจ - การให้บริการ:
1.7V ~ 1.9V
กล่อง / กระเป๋า:
144-TBGA
องค์การหน่วยความจำ:
64ม.x9
อุณหภูมิการทํางาน:
0°C ~ 95°C (TC)
เทคโนโลย:
แอลดีแรม
เลขสินค้าพื้นฐาน:
UPD48576209
รูปแบบหน่วยความจำ:
แรม
คําแนะนํา
ความจํา LLDRAM IC 576Mbit HSTL 400 MHz 144-TFBGA (11x18.5)
สินค้าที่เกี่ยวข้อง
HN58C256AP10E
HN58C256 - PARALLEL 256KBIT EEPR
UPD48576236F1-E18-DW1-A
IC DRAM 576MBIT HSTL 144TFBGA
R1LV0108ESA-5SI#B1
R1LV0108E - 1Mb Advanced LPSRAM
R1LV1616HSA-5SI#B1
R1LV1616HSA - Wide Temperature R
HN58C257AT85E
HN58C257 - PARALLEL 256KBIT EEPR
M5M5V108DVP-70H#BT
STANDARD SRAM, 128KX8, 70NS, CMO
R1WV6416RBG-5SI#B0
R1WV6416RBG-5SI - Low Power SRAM
HN58V66ATI10E
HN58V66 - PARALLEL 64KBIT EEPROM
R1LP5256ESA-5SI#S1
R1LP5256 - 256Kb Advanced LPSRAM
R1RW0416DSB-2PI#D1
R1RW0416D-I - Wide Temperature R
| ภาพ | ส่วนหนึ่ง # | คําอธิบาย | |
|---|---|---|---|
|
|
HN58C256AP10E |
HN58C256 - PARALLEL 256KBIT EEPR
|
|
|
|
UPD48576236F1-E18-DW1-A |
IC DRAM 576MBIT HSTL 144TFBGA
|
|
|
|
R1LV0108ESA-5SI#B1 |
R1LV0108E - 1Mb Advanced LPSRAM
|
|
|
|
R1LV1616HSA-5SI#B1 |
R1LV1616HSA - Wide Temperature R
|
|
|
|
HN58C257AT85E |
HN58C257 - PARALLEL 256KBIT EEPR
|
|
|
|
M5M5V108DVP-70H#BT |
STANDARD SRAM, 128KX8, 70NS, CMO
|
|
|
|
R1WV6416RBG-5SI#B0 |
R1WV6416RBG-5SI - Low Power SRAM
|
|
|
|
HN58V66ATI10E |
HN58V66 - PARALLEL 64KBIT EEPROM
|
|
|
|
R1LP5256ESA-5SI#S1 |
R1LP5256 - 256Kb Advanced LPSRAM
|
|
|
|
R1RW0416DSB-2PI#D1 |
R1RW0416D-I - Wide Temperature R
|
ส่ง RFQ
สต็อค:
MOQ: