W25N512GVEIG
![คุณภาพ [#varpname#] โรงงาน](/images/load_icon.gif){kind=icon}
ผู้ผลิต:
วินบอนด์ อิเล็กทรอนิกส์
คําอธิบาย:
ไอซีแฟลช 512MBIT SPI/QUAD 8WSON
ประเภท:
หน่วยความจำ
รายละเอียด
ประเภท:
เครื่องวงจรบูรณาการ (IC)
ความจํา
ความจํา
ขนาดหน่วยความจำ:
512Mbit
สถานะสินค้า:
กิจกรรม
ประเภทการติดตั้ง:
การติดตั้งพื้นผิว
แพ็คเกจ:
ท่อ
ซีรี่ย์:
สไปแฟลช®
โปรแกรม DigiKey:
ไม่ยืนยัน
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ:
SPI - ควอด I/O
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า:
700µs
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:
8-WSON (8x6)
ประเภทหน่วยความจำ:
ไม่ลบเลือน
Mfr:
วินบอนด์ อิเล็กทรอนิกส์
ความถี่นาฬิกา:
166 เมกะเฮิรตซ์
โลเตจ - การให้บริการ:
2.7V ~ 3.6V
กล่อง / กระเป๋า:
8-WDFN แผ่นสัมผัส
องค์การหน่วยความจำ:
64 ม. x 8
อุณหภูมิการทํางาน:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
เทคโนโลย:
แฟลช - NAND (SLC)
เลขสินค้าพื้นฐาน:
W25N512
รูปแบบหน่วยความจำ:
แฟลช
คําแนะนํา
แฟลช - NAND (SLC) แมมมรี่ IC 512Mbit SPI - Quad I/O 166 MHz 8-WSON (8x6)
สินค้าที่เกี่ยวข้อง
W29N02KVBIAE TR
IC FLASH 2GBIT ONFI 63VFBGA
W97AH6NBVA1E TR
IC DRAM 1GBIT HSUL 12 134VFBGA
W979H2KBVX1I TR
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
W25N01GWZEIG TR
IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 8WSON
W9812G6KH-5I TR
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
W632GG8NB-11 TR
IC DRAM 2GBIT SSTL 15 78VFBGA
W979H6KBVX1E TR
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
W971GG8NB25I TR
IC DRAM 1GBIT SSTL 18 60VFBGA
W9812G6KH-5I
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
W979H6KBVX2I TR
IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
| ภาพ | ส่วนหนึ่ง # | คําอธิบาย | |
|---|---|---|---|
|
|
W29N02KVBIAE TR |
IC FLASH 2GBIT ONFI 63VFBGA
|
|
|
|
W97AH6NBVA1E TR |
IC DRAM 1GBIT HSUL 12 134VFBGA
|
|
|
|
W979H2KBVX1I TR |
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
|
|
|
|
W25N01GWZEIG TR |
IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 8WSON
|
|
|
|
W9812G6KH-5I TR |
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
|
|
|
|
W632GG8NB-11 TR |
IC DRAM 2GBIT SSTL 15 78VFBGA
|
|
|
|
W979H6KBVX1E TR |
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
|
|
|
|
W971GG8NB25I TR |
IC DRAM 1GBIT SSTL 18 60VFBGA
|
|
|
|
W9812G6KH-5I |
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
|
|
|
|
W979H6KBVX2I TR |
IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
|
ส่ง RFQ
สต็อค:
MOQ: