70V657S10BFG8
![คุณภาพ [#varpname#] โรงงาน](/images/load_icon.gif){kind=icon}
ผู้ผลิต:
เรเนซัส อิเล็กทรอนิกส์ อเมริกา
คําอธิบาย:
ไอซี SRAM 1.125MBIT พาร์ 208FPBGA
ประเภท:
หน่วยความจำ
รายละเอียด
ประเภท:
เครื่องวงจรบูรณาการ (IC)
ความจํา
ความจํา
สถานะสินค้า:
กิจกรรม
ประเภทการติดตั้ง:
การติดตั้งพื้นผิว
แพ็คเกจ:
เทป & รีล (TR)
ซีรี่ย์:
-
โปรแกรม DigiKey:
ไม่ยืนยัน
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ:
ขนาน
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า:
10ns
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:
208-CABGA (15x15)
ประเภทหน่วยความจำ:
ระเหย
Mfr:
เรเนซัส อิเล็กทรอนิกส์ อเมริกา
ขนาดหน่วยความจำ:
1.125เมกะบิต
โลเตจ - การให้บริการ:
3.15V~3.45V
เข้าถึงเวลา:
10 nS
กล่อง / กระเป๋า:
208-LFBGA
องค์การหน่วยความจำ:
32K x 36
อุณหภูมิการทํางาน:
0°C ~ 70°C (TA)
เทคโนโลย:
SRAM - พอร์ตคู่, อะซิงโครนัส
เลขสินค้าพื้นฐาน:
70V657
รูปแบบหน่วยความจำ:
แรม
คําแนะนํา
SRAM - Dual Port, Asynchronous Memory IC 1.125Mbit รวม 10 ns 208-CABGA (15x15)
ส่ง RFQ
สต็อค:
MOQ: