W978H2KBVX1I TR

ผู้ผลิต:
วินบอนด์ อิเล็กทรอนิกส์
คําอธิบาย:
ไอซีแรม 256MBIT HSUL 12 134VFBGA
ประเภท:
หน่วยความจำ
รายละเอียด
ประเภท:
เครื่องวงจรบูรณาการ (IC) ความจํา ความจํา
ขนาดหน่วยความจำ:
256Mbit
สถานะสินค้า:
ไม่ เพื่อ การ ออกแบบ ใหม่
ประเภทการติดตั้ง:
การติดตั้งพื้นผิว
แพ็คเกจ:
เทป & รีล (TR)
ซีรี่ย์:
-
โปรแกรม DigiKey:
ไม่ยืนยัน
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ:
HSUL_12
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า:
15 วินาที
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:
134-VFBGA (10x11.5)
ประเภทหน่วยความจำ:
ระเหย
Mfr:
วินบอนด์ อิเล็กทรอนิกส์
ความถี่นาฬิกา:
533 เมกะเฮิรตซ์
โลเตจ - การให้บริการ:
1.14V~1.3V, 1.7V~1.95V
เข้าถึงเวลา:
5.5 น
กล่อง / กระเป๋า:
134-VFBGA
องค์การหน่วยความจำ:
8ม.x32
อุณหภูมิการทํางาน:
-40°C ~ 85°C (TC)
เทคโนโลย:
SDRAM - โทรศัพท์มือถือ LPDDR2-S4B
เลขสินค้าพื้นฐาน:
W978H2
รูปแบบหน่วยความจำ:
แรม
คําแนะนํา
SDRAM - โมบายล์ LPDDR2-S4B แมมมรี่ IC 256Mbit HSUL_12 533 MHz 5.5 ns 134-VFBGA (10x11.5)
สินค้าที่เกี่ยวข้อง
ส่ง RFQ
สต็อค:
MOQ: