W66BM6NBUAFJ TR

ผู้ผลิต:
วินบอนด์ อิเล็กทรอนิกส์
คําอธิบาย:
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGA
ประเภท:
หน่วยความจำ
รายละเอียด
ประเภท:
เครื่องวงจรบูรณาการ (IC) ความจํา ความจํา
ขนาดหน่วยความจำ:
2กิกะบิต
สถานะสินค้า:
ไม่ เพื่อ การ ออกแบบ ใหม่
ประเภทการติดตั้ง:
การติดตั้งพื้นผิว
แพ็คเกจ:
เทป & รีล (TR)
ซีรี่ย์:
-
โปรแกรม DigiKey:
ไม่ยืนยัน
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ:
LVSTL_11
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า:
18 น
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:
200-WFBGA (10x14.5)
ประเภทหน่วยความจำ:
ระเหย
Mfr:
วินบอนด์ อิเล็กทรอนิกส์
ความถี่นาฬิกา:
1.6 กิกะเฮิรตซ์
โลเตจ - การให้บริการ:
1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V
เข้าถึงเวลา:
3.5 น
กล่อง / กระเป๋า:
200-ดับเบิลยูเอฟบีจีเอ
องค์การหน่วยความจำ:
128ม.x16
อุณหภูมิการทํางาน:
-40°C ~ 105°C (TC)
เทคโนโลย:
SDRAM - มือถือ LPDDR4X
เลขสินค้าพื้นฐาน:
W66BM6
รูปแบบหน่วยความจำ:
แรม
คําแนะนํา
SDRAM - โทรศัพท์มือถือ LPDDR4X ความจํา IC 2Gbit LVSTL_11 1.6 GHz 3.5 ns 200-WFBGA (10x14.5)
สินค้าที่เกี่ยวข้อง
ส่ง RFQ
สต็อค:
MOQ: